Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде
  • Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде

Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде

19 125 руб.
Магазин IDC STORE Store

Описание

1. применяется к samsung, sandisk, Toshiba, Hynix, Micron, MTK, Intel и т. д. -- eMMC

2. применяется к BGA153 и BGA169.

3. точное позиционирование на плоской нижней панели и припоя eMMC.

4. Длительный срок эксплуатации, До 50000 раз. И быстрее для чтения.

5. применяется к толщине eMMC: 0,8 -- 1,5 мм.

6. может читать и перезаписывать данные eMMC с этим.

7. Размер eMMC: 11,5x13 мм/12x16 мм/12x18 мм/14x18 мм/11x10 мм, шаг: 0,5 мм.

8. Легко работать, вставьте ic в гнездо.

9. Поддержка плоского дна и тестирования припоя.

Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде

Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде

Samsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стендеSamsung GALAXY Note3 N900 N9005 N9008 N9006 чип emmc nand флэш-функция испытательный станок, BGA153 BGA169 памяти на носителе emmc испытательном стенде