4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода
  • 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода
  • 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода
  • 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода
  • 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода
  • 4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода

4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода

1 заказ
5 134 руб.
Магазин Advanced Materials Research Specialist Store

Описание

Спецификация:

1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 Размеры: 4 дюйм(ов)
3 диаметр и допуск: 100 ± 0,4 мм
4 Толщина: 500um
Толщина оксида 5: 300 нм
6 Модель: P
7 характеристики: двойной кислород
8: сопротивление 0,005-0,001 Омега/см
9 направление кристалла: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: покрытие PVD/CVD, напыление магнетрона, XRD, SEM, рост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, спектроскопия флуоресценции, субстрат, субстрат, молекулярный пучок эпитаксиального роста Полупроводникового Кристалла рентгеновского анализа.

4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода4 дюймов SIO2 диоксид кремния вафли/сопротивление 0,001-0,005 ОМ* см/кремниевых пластин толщина 500um/двойной кислорода

Характеристики

Номер модели
Crystal orientation 100/ Model P
Стандартный
GB
Габаритные размеры
Oxide thickness 300nm
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Monocrystalline silicon

Сопутствующие товары