Описание
Технические характеристики:
1 материал: высокая чистота кремния
2 размера: 3 дюймов
3 диаметр и допуск: 76.2 ± 0.3 мм
4 Толщина: 525um
Модель: N Тип:
6 удельность: 10-20/Ом ∙ см
7 направление: <100>
8 полированных: Односторонний полированный
9. основные приложения: pvd/CVD покрытие подложка, магнетрон спутник, XRD, sem, образец роста атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флуоресценция спектроскопической подложкой, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводниковый Кристалл x Рэй анализ.







Характеристики
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 76.2mm * 525um
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model N
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon









