Описание
Технические характеристики изделия:
1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 1 дюйм
3 диаметра и допуска: 25,4 ± 10 мм
4 Толщина: 500um
5 Модель: Тип P
6 сопротивление: 1-10 Ω ● см
7 направление: <100>
8 полированный: Односторонний полированный
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомной силы роста, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентный спектроскопический анализ подложки, подложка, Молекулярный луч эптриосного роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 24.5mm * 500um
- Стандартный
- GB
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Номер модели
- diameter * thickness = 24.5mm * 500um
- Материал
- Monocrystalline silicon