Русский mega328 Полный Собранный Транзистор тестер LCR диода Емкость СОЭ метр ШИМ меандр генератор частоты сигнала купить на АлиЭкспресс

Описание

Прибор для проверки транзистора, соответствующий российским стандартам

Изготовитель: FNIRSI

На транзистор может подаваться напряжение 6,8–12 В постоянного тока.Для этого можно использовать галетную батарею 9 В.Два последовательно подключенных литий-ионных аккумулятора емкостью 3,7 В или адаптер переменного тока.При включении сила тока составляет примерно 30 мА при 9 В переменного тока.Прибор для проверки транзисторов управляется «поворотным импульсным кодером с выключателем» (RPEWS).Предусмотрено 4 режима работы: короткое нажатие ручки, длительное нажатие ручки, поворот ручки влево и вправо.Короткое нажатие включает транзистор и запускает проверку.Он выключается автоматически в конце проверки.Длительное нажатие и поворот влево или вправо активируют функциональное меню.Использовать > для выбора элементов.Нажмите и удерживайте ручку для выхода из функционального меню.У транзистора имеется 3 тестовые точки: ТР1, ТР2 и ТР3 внутри тестового гнезда.Справа от тестового гнезда находится контактная площадка для испытаний SMT с идентификационными номерами.Внимание: для предотвращения повреждения всегда разряжайте конденсаторы перед их подключением к прибору для проверки.Особая осторожность требуется в том случае, если вы пытаетесь проверить компоненты, установленные в одной в цепи.В любом случае оборудование следует отключать от источника питания, а также необходимо проверять, чтобы в оборудовании не оставалось остаточного напряжения.Самотестирование и калибровка: самотестирование можно провести путем соединения всех трех тестовых точек и нажатия RPEWS.Для начала самотестирования необходимо повторно нажать RPEWS в течение 2 секунд.Прибор для проверки подскажет вам следующее действие.Дождитесь, пока не появится надпись «изолировать зонды», а затем отсоедините тестовые точки.На приборе для проверки вскоре появится «1-||-3 > 100нф».Для последнего этапа калибровки требуется подключить конденсатор любой емкости в пределах от 100 нФ до 20 мкФ к контакту 1 и 3.Необходимо подключать конденсатор после появления на дисплее этого текста.С этим конденсатором входное напряжение смещения нуля аналогового компаратора будет компенсироваться для более точного определения величин емкости.Советы: обычно при каждом запуске прибор для проверки показывает напряжение аккумулятора.Если напряжение падает ниже предела, отображается предупреждение.Если используется аккумулятор емкостью 9 В, следует как можно скорее заменить аккумулятор, в противном случае его придется перезаряжать.При измерении низкоомных резисторов следует не забывать про сопротивление штепсельных соединителей и кабелей.Важно качество и состояние штепсельных соединителей, а также сопротивление кабелей, используемых для измерения.Тот же принцип применим и для измерения эквивалентного последовательного сопротивления (ЭПС) конденсаторов.При кабеле с ненадежным соединением значение ЭПС из 0,02 Ом может увеличиться до 0,61 Ом.Не следует ожидать очень точных результатов измерений, особенно результатов измерений ЭПС и индуктивности. Проблемные компоненты: при интерпретации результатов следует иметь в виду, что схема прибора для проверки транзисторов предназначена для полупроводников малых сигналов.При нормальных условиях измерений ток для измерений может доходить примерно до 6 мА.Прибор для проверки часто не может дать ток срабатывания или ток удержания, достаточный для силовых тиристоров или симисторов.Поэтому тиристор может обнаруживаться как транзистор типа NPN, диод или как неизвестный.Еще одной проблемой является определение полупроводников со встроенными резисторами.Так что диод на основе эмиттерного перехода транзистора BU508D невозможно обнаружить по причине параллельно подсоединенного внутреннего резистора с сопротивлением 42 Ом.Поэтому функцию транзистора проверить нельзя.Проблема с обнаружением также возникает и с мощными транзисторами Дарлингтона.Часто встречаются внутренние резисторы эмиттер-база, которые затрудняют определение компонента с током для измерений меньше номинального.Измерение транзисторов типа PNP и NPN. Для нормального измерения три ножки транзистора следует подключать в любом порядке к измерительным входам прибора для проверки транзисторов.После нажатия RPEWS, прибор для проверки транзистора показывает в строке 1 тип (NPN или PNP), возможно встроенный защитный диод дорожки «коллектор-эмиттер» и последовательность ножек.Символ диода отображается с правильной полярностью.В строке 2 показывается текущий коэффициент усиления (hfe =...) и пороговое напряжение «эмиттер-база».Прибор для проверки может измерять коэффициент усиления с двумя различными схемами, общим эмиттером и общей цепью коллектора (эмиттерный повторитель).На ЖК-дисплее отображается только более высокий результат.При использовании германиевых транзисторов часто измеряется обратный ток коллектора ICEO с током, меньше базового, или остаточный ток коллектора ICES с базой, удерживаемой на уровне эмиттера. Измерение транзисторов JFET и D-MOS: поскольку структура типа JFET симметрична, исток и сток этого транзистора не могут быть разными.Обычно одним из параметров этого транзистора является ток транзистора с затвором на одном уровне с истоком.Этот ток часто оказывается выше тока, который может быть достигнут с помощью измерительной схемы прибора для проверки транзисторов с резистором с сопротивлением 680 Ом.По этой причине резистор с сопротивлением 680 Ом подключается к истоку.Таким образом затвор получает с увеличением тока отрицательное напряжение смещения.Прибор для проверки сообщает ток истока этой схемы и дополнительно напряжение смещения затвора.Поэтому различные модели могут отличаться.МОП-транзисторы, работающие в режиме обеднения, измеряются аналогичным образом.Для МОП-транзисторов, работающих в режиме обогащения (P-E-MOS или N-E-MOS), следует знать, что измерять пороговое напряжение включения (Впор.) сложнее с небольшими значениями емкости затвора.Можно получить более точное значение напряжения, если подключить конденсатор со значением в несколько нФ параллельно затвору/истоку.Пороговое напряжение затвора будет обнаружено при токе стока силой около 3,5 мА для P-E-MOS и около 4 мА для N-E-MOS. Описание функционального меню: 1. Отключить. При активации данной функции прибор для проверки немедленно отключится.2. Транзистор. Функция проверки транзистора является функцией по умолчанию, которая активируется при включении.3. Частота. Измерение частоты. На частотах ниже 25 кГц после измерения собственной частоты выполняется измерение периода времени.Это дополнительное измерение выполняется только после измерения собственной частоты.4. Ф-генератор. Генерация сигналов. Эта функция может создавать на выходе прямоугольную волну с различной частотой на выбор.5. 10-битная ШИМ. Функция «10-битная ШИМ» (широтно-импульсная модуляция) генерирует фиксированную частоту (7812,5 Гц) с выбираемым импульсом

Комплектация 1: полностью собранный прибор для проверки транзисторов 1 шт.; комплектация 2: полностью собранный прибор для проверки транзисторов 1 шт.; акриловый чехол «собери сам» 1 шт.

Комплектация 1: