Описание
ОдиночныйПолировка по бокам один кристалл кремния
Технические характеристики:
Монокристаллическая Кремниевая подложка
1. Длина 10 мм, ширина 10 мм, толщина 0,65 мм, С переключением между дальним и сбокуТолщина оксида 300nm.
2.На одной сторонеПолированная
3,100 штук P типа
4.Допинг ЭлtP типа B
Материал:
Монокристаллический Кремний высокой чистоты, двусторонняя полировка, удельное сопротивление: 0,0001-100
Область применения:
1. PVD/CVD покрытие подложка
2. Используется как XRD (рентгеновский Дифракционный анализ), SEM (сканирующий электронный микроскоп), AFM (атомный силовой микроскоп), FTIR инфракрасный, флуоресцентная спектроскопия и другие аналитические тестовые подложки
3. Синхротронное излучение экспериментальный носитель образцов
4. Подложка для молекулярного пучка эпитаксиального выращивания
5. Полупроводниковый процесс литографии и так далее
Характеристики
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Single crystal silicon wafer
- Габаритные размеры
- 10.0*10.0*0.65mm
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Si
Сопутствующие товары
