Описание
Принимаем размеры и спецификации на заказ.
Другие кристаллы, такие как A и R, могут быть настроены.
Параметры: 2 "(50,8 мм) ×0. 4 мм, с переключением между дальним и поверхностной полировке, кристаллизации направления по уровню поверхности: <0001>, в частности, c-оси, пятна.
Принимаем настройки размера.
Сапфировые подложки также могут быть использованы в полупроводниковой промышленности эпитаксиальные вафли, могут быть использованы для производства светодиодный, Лабораторные исследования (как эпитаксиальный чип, эпитаксиальный однокристальный пленочный подложка).

Похожие продукты
Похожие продукты

Эпитаксии полировка
| Материал науки Материал | Высокой чистоты один crystalAl2O3 |
| С украшением в виде кристаллов ориентации | CNoodles (0001) ±0. 3 ° |
| YesMAxis отклонение угол | 0,20 ± 0,05 ° |
| YesAAxis отклонение угол | 0,0 ± 0,1 ° |
| Диаметр Dismeter | 50,8 ±0. 15 мм |
| Толщина | 330μm/430μm±25μm |
| Общая толщина deviationTTV | <10 мкм |
| Общая площадь smoothnessTIR | ≦10μm |
| Степень изгиба WARP | ≦15μm |
| Коробление лук | -10 ~ 0μm |
| Ориентации позиционирования поверхности основная плоская расположение | Антулы (11-20) |
| Отклонение от заданного угла | 0,0 ± 0,2 ° |
| Основная плоская длина | 16±0. 5 мм |
| Поверхность roughnessFrontside прибор шероховатости поверхности | RA≦3 (NamelyRa≦0. 3nm) |
| Шероховатость задней поверхности (Ra) | Ra = 0,5 ~ 1,0 мкм |
Характеристики
- Тип
- Части Кондиционера










